技术编号：35697511
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及一种具有渐变凹槽终端的高电子迁移率晶体管及制备方法。背景技术.随着新能源技术的发展，电力电子系统不断向着高效、大功率的方向发展，这也对功率器件提出了更高的要求，为了满足功率电子小型化、高效化的需求，有必要对其性能进行进一步提升。氮化镓器件由于其优异的材料特性成为新一代功率器件的主角，如何进一步提高氮化镓高电子迁移率晶体管的功率性能，提升其稳定性成为研究重点。目前主流的氮化镓功率器件主要有两种，p型栅增强型以及cascode(级联)型，p型栅器件通过...
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