技术编号：3572588
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及用于化学气相沉积的金属前体溶液。 背景技术 半导体制造业长期使用含金属源的前体，用于包括原子层沉积的化学气相沉积方法，以利用包含前体的这些金属源在基底上制造保形(conformal)的含金属薄膜，基底如硅、氧化硅、金属氮化物、金属氧化物和其他含金属的层。在这种制造方法中，输送含有多个来源的前体的特别有益的方法是采用含有液体金属前体的净(neat)液体源或溶解于溶剂中的金属源前体溶液，闪蒸以气化该混合物，然后将所得蒸气输送到反应器。如果在制造...
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