技术编号:3586461
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及氟化丙炔类的用途,更详细而言,涉及干蚀刻剂以及使用其的半导体的干蚀刻方法。背景技术今时今日,在半导体制造中,寻求极其微细的处理技术,干蚀刻法逐渐取代湿式法成为主流。干蚀刻法是在真空空间中产生等离子体而在物质表面上以分子单位形成微细的图案的方法。在二氧化硅(SiO2)等半导体材料的蚀刻中,为了提高SiO2相对于用作基底材料的硅、多晶硅、氮化硅等的蚀刻速度,而使用CF4、CHF3> C2F6, C3F8, C4F8等全氟碳化物(PFC)类、氢氟...
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