技术编号：35934178
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。光掩模表面cr层残留的去除方法技术领域.本申请涉及光掩模表面处理技术领域，具体涉及一种光掩模表面cr层残留的去除方法。背景技术.光掩模在制作过程中需要先通过曝光机曝光在一块感光石英基材上，再经过显影、蚀刻等制成使得光掩模表面形成透光与不透光的极细微图形，不透光的图形即为留下的金属层。.目前的制作方法，大概率会在光掩模表面留下cr层。cr层一旦在图形的关键位置残留，会导致图形处的cd变异，从而影响wafer端的cd。但目前针对于光掩模表面的cr层残留，仍没有较好的处理方法，通常需要将光掩模进...
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