光掩模表面Cr层残留的去除方法与流程

本申请涉及光掩模表面处理，具体涉及一种光掩模表面cr层残留的去除方法。

背景技术：

1、光掩模在制作过程中需要先通过曝光机曝光在一块感光石英基材上，再经过显影、蚀刻等制成使得光掩模表面形成透光与不透光的极细微图形，不透光的图形即为留下的金属层。

2、目前的制作方法，大概率会在光掩模表面留下cr层。cr层一旦在图形的关键位置残留，会导致图形处的cd变异，从而影响wafer端的cd。但目前针对于光掩模表面的cr层残留，仍没有较好的处理方法，通常需要将光掩模进行二次曝光流程，导致曝光机台及process机台长时间加载。

3、因此，需要一种新的光掩模表面cr层去除方法，能够在其它机台上对光掩模表面的残留cr层进行去除，省去光掩模的二次曝光流程，减少曝光机台和process机台的加载时间。

技术实现思路

1、有鉴于此，本说明书实施例提供一种光掩模表面cr层残留的去除方法，能够在修补机台上进行残留cr层的去除，省去光掩模的二次曝光流程，减少曝光机台和process机台的加载时间。

2、本说明书实施例提供以下技术方案：

3、本说明书实施例提供一种光掩模表面cr层残留的去除方法，采用修补机台，包括以下步骤：

4、s1，将光掩模置于修补机台上；

5、s2，对光掩模表面进行esb信号检测，得到esb信号值；

6、s3，根据不同金属层在esb信号值上的差异性，读取出关于cr层的信号值；

7、s4，根据关于cr层的信号值，得到cr层的对应位置；

8、s5，蚀刻cr层的对应位置，对光掩模表面进行修补，去除光掩模表面的残留cr层。

9、通过上述技术方案，采用修补机台检测光掩模表面，得到esb信号值，根据各金属层在esb信号值上的差异性，得到关于cr层的信号值，根据cr层信号值的获取位置，得到光掩模表面残留cr层所在的对应位置，通过蚀刻的方式将残留cr层去除，从而可以省去二次曝光流程，且整个cr层去除流程均在修补机台上进行，不占用曝光机台和process机台，减少了曝光机台和process机台的加载时间，同时提高了对不同机台的利用率，提升了光掩模的生产效率。

10、优选的，在步骤s1和步骤s2之间，还设置有步骤s100：

11、设置各金属层的标准信号值，使得各金属层的标准信号值均大于10。

12、通过上述技术方案，放大各金属层的标准信号值，增大各金属层在esb信号值上的差异，从而通过读取esb信号值，根据esb信号值较大的变化起伏，可以快速获得关于cr层的esb信号值，从而快速确定cr层所在位置，提高cr层位置的确认效率。

13、优选的，步骤s5还包括：

14、蚀刻过程中，观测esb信号值变化，一旦出现esb信号值突变，则停止蚀刻。

15、通过上述技术方案，设置一旦出现esb信号值突变，则停止蚀刻，可以保障光掩模上的主图形不受蚀刻的影响，保障光掩模在修补过程的良品率。

16、优选的，cr层采用等离子气体进行蚀刻。

17、本说明书实施例还提供一种psm光掩模表面cr层残留的去除方法，psm光掩模表面包括mosi层和cr层，采用修补机台，步骤如下：

18、s101，将psm光掩模置于修补机台；

19、s201，对psm光掩模表面进行esb信号检测，esb信号值；

20、s301，根据mosi层和cr层在esb信号值上的差异性，读取出关于cr层的信号值；

21、s401，根据关于cr层的信号值，确定cr层的对应位置；

22、s501，蚀刻cr层的对应位置，对psm光掩模表面进行修补，去除psm光掩模表面的残留cr层。

23、通过上述技术方案，采用修补机台检测psm光掩模表面，得到esb信号值，根据mosi层和cr层在esb信号值上的差异性，得到关于cr层的信号值，根据cr层信号值的获取位置，得到psm光掩模表面残留cr层所在的对应位置，通过蚀刻的方式将残留cr层去除，从而可以省去二次曝光流程，且整个cr层去除流程均在修补机台上进行，不占用曝光机台和process机台，减少了曝光机台和process机台的加载时间，同时提高了对不同机台的利用率，提升了psm光掩模的生产效率。

24、优选的，在步骤s101和步骤s201之间，还设置有步骤s1001：

25、设置mosi层和cr层的标准信号值，使得mosi层和cr层的标准信号值均大于10。

26、优选的，步骤s501还包括：

27、蚀刻过程中，观测修补机台的esb信号值变化，一旦出现esb信号值突变，则停止蚀刻。

28、优选的，cr层采用含氟等离子气体进行蚀刻。

29、与现有技术相比，本说明书实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到的有益效果至少包括：

30、通过修补机台检测光掩模表面，得到esb信号值，根据各金属层在esb信号值上的差异性，得到关于cr层的信号值，根据cr层信号值的获取位置，得到光掩模表面残留cr层所在的对应位置，通过蚀刻的方式将残留cr层去除，从而可以省去二次曝光流程，且整个cr层去除流程均在修补机台上进行，不占用曝光机台和process机台，减少了曝光机台和process机台的加载时间，同时提高了对不同机台的利用率，提升了光掩模的生产效率。

技术特征：

1.一种光掩模表面cr层残留的去除方法，其特征在于，采用修补机台，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的光掩模表面cr层残留的去除方法，其特征在于，在步骤s1和步骤s2之间，还设置有步骤s100：

3.根据权利要求2所述的光掩模表面cr层残留的去除方法，其特征在于，所述步骤s5还包括：

4.根据权利要求1所述的光掩模表面cr层残留的去除方法，其特征在于，cr层采用等离子气体进行蚀刻。

5.一种psm光掩模表面cr层残留的去除方法，其特征在于，psm光掩模表面包括mosi层和cr层，采用修补机台，步骤如下：

6.根据权利要求5所述的psm光掩模表面cr层残留的去除方法，其特征在于，在步骤s101和步骤s201之间，还设置有步骤s1001：

7.根据权利要求5所述的psm光掩模表面cr层残留的去除方法，其特征在于，步骤s501还包括：

8.根据权利要求5所述的psm光掩模表面cr层残留的去除方法，其特征在于，

技术总结
本申请提供一种光掩模表面Cr层残留的去除方法，涉及光掩模表面处理技术领域，其采用修补机台，包括以下步骤：S1，将光掩模置于修补机台上；S2，对光掩模表面进行ESB信号检测，得到ESB信号值；S3，根据不同金属层在ESB信号值上的差异性，读取出关于Cr层的信号值；S4，根据关于Cr层的信号值，得到Cr层的对应位置；S5，蚀刻Cr层的对应位置，对光掩模表面进行修补，去除光掩模表面的残留Cr层。通过上述步骤，使得光掩模能够在修补机台上进行残留Cr层的去除，省去光掩模的二次曝光流程，减少曝光机台和Process机台的加载时间。

技术研发人员：李亚鹏,包忍
受保护的技术使用者：广州新锐光掩模科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15