技术编号:35959872
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种nm pin光电探测器及其制备方法技术领域.本发明涉及光电探测器技术领域,具体来说涉及一种nm pin光电探测器及其制备方法。背景技术.相比于传统的电化学法,利用激光光谱法(tdls)进行二氧化碳探测可以大幅度降低系统的成本。二氧化碳对于nm的激光具有较强的吸收,因此,用于二氧化碳探测的光电探测器需要在宽温度区间内对于nm的激光具有较强的响应度。传统的ingaas pin探测器的in组分为%,ingaas吸收层和inp衬底晶格匹配。这样有助于降低吸收层...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。