技术编号:35960817
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及电力电子功率半导体器件领域,特别涉及一种功率模块和电机驱动器。背景技术.igbt(insulated gate bipolar transistor,绝缘栅双极型晶体管)是伺服和变频驱动系统的关键器件,对电机驱动成本和可靠性影响较重。.现有驱动系统中功率模块采用如集成pim、pack系列的标准封装模块,或,标准的分立式封装器件,封装模块、封装器件中功率芯片均采用金属框架或金属针座与外部电路电气互联,而利用金属框架或金属针座引出功率端子时会受到金属框架或金属针座本身结构、工艺的限...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。