技术编号:36016560
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体驱动技术领域,尤其涉及一种耗尽型晶体管的驱动电路。背景技术.使用第三代半导体材料,即,宽禁带半导体材料氮化镓(gan)制备的半导体器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势,并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容,在新一代高频率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。.氮化镓功率器件一般分为耗尽型(常开型)和增强型(常关型)两种。其中增强型器件的驱动电压范围窄,一般需要专门的驱动ic驱动,同时沟道电...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。