技术编号：36092314
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。背景技术.公开了一种半导体装置的制造方法，其在半导体层之上形成氮化硅膜，在氮化硅膜形成开口，在开口内形成欧姆电极。.现有技术文献.专利文献.专利文献：日本特开－号公报.近年来，半导体装置的微细化正在推进，随着微细化，漏电流恐怕会变大。发明内容.本公开的目的在于提供能抑制漏电流的半导体装置以及半导体装置的制造方法。.本公开的半导体装置具有：半导体层；第一绝缘膜，设于所述半导体层之上，形成有第一开口；欧姆电极，经由...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。