半导体装置以及半导体装置的制造方法与流程

本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。

背景技术：

1、公开了一种半导体装置的制造方法，其在半导体层之上形成氮化硅膜，在氮化硅膜形成开口，在开口内形成欧姆电极。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2019－216188号公报

5、近年来，半导体装置的微细化正在推进，随着微细化，漏电流恐怕会变大。

技术实现思路

1、本公开的目的在于提供能抑制漏电流的半导体装置以及半导体装置的制造方法。

2、本公开的半导体装置具有：半导体层；第一绝缘膜，设于所述半导体层之上，形成有第一开口；欧姆电极，经由所述第一开口与所述半导体层欧姆接触；栅电极，设于所述第一绝缘膜之上；以及第二绝缘膜，覆盖所述欧姆电极的所述栅电极侧的侧面的至少一部分，并与所述第一绝缘膜相连。

3、发明效果

4、根据本公开，能抑制漏电流。

技术特征：

1.一种半导体装置，具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

6.一种半导体装置，具有：

7.一种半导体装置的制造方法，具有以下工序：

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，

技术总结
本公开提供能抑制漏电流的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：半导体层；第一绝缘膜，设于所述半导体层之上，形成有第一开口；欧姆电极，经由所述第一开口与所述半导体层欧姆接触；栅电极，设于所述第一绝缘膜之上；以及第二绝缘膜，覆盖所述欧姆电极的所述栅电极侧的侧面的至少一部分，并与所述第一绝缘膜相连。

技术研发人员：加藤弘晃
受保护的技术使用者：住友电工光电子器件创新株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16