技术编号:36134476
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型实施例是有关于半导体结构,且特别是有关于电容器结构。背景技术.随着半导体技术的进步,对更高储存容量、更快处理系统、更高性能及更低成本的需求不断增加。为了满足这些需求,半导体行业继续缩小主动半导体元件的尺寸,例如金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor;mosfet),包括平面mosfet、鳍式场效应晶体管(finfet)以及电容器。这种按比例缩小增加了半导体制造工艺的复杂性。实用新型内容.本...
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