半导体结构的制作方法

本技术实施例是有关于半导体结构，且特别是有关于电容器结构。

背景技术：

1、随着半导体技术的进步，对更高储存容量、更快处理系统、更高性能及更低成本的需求不断增加。为了满足这些需求，半导体行业继续缩小主动半导体元件的尺寸，例如金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor；mosfet)，包括平面mosfet、鳍式场效应晶体管(finfet)以及电容器。这种按比例缩小增加了半导体制造工艺的复杂性。

技术实现思路

1、本实用新型实施例的一种半导体结构，所述半导体结构包括：基底；位在所述基底上的晶体管结构；耦接到所述晶体管结构的内连线结构；所述内连线结构包括第一金属线、位在与所述第一金属线相同的金属化层中的第二金属线以及位在于所述第一金属线及所述第二金属线上方的金属化层中的第三金属线；具有第一顶部电极及第一底部电极的第一电容器；以及具有第二顶部电极及第二底部电极的第二电容器，所述第一顶部电极及所述第二顶部电极电性耦接到所述第三金属线，且所述第一底部电极及所述第二底部电极分别电性耦接到所述第一金属线及所述第二金属线。

2、本实用新型实施例的一种半导体结构，所述半导体结构包括：基底；位在所述基底上的第一金属线及第二金属线；位在所述第一金属线及所述第二金属线之上的第一层间介电质层；位在所述第一层间介电质层中且位在所述第一金属线及所述第二金属线中的每一个之上的第一沟槽及第二沟槽；延伸到所述第一沟槽及所述第二沟槽中的第一电容器及第二电容器；位在所述第一电容器及所述第二电容器之上的第二层间介电质层；以及位在所述第二层间介电质层中且耦接到所述第一电容器的顶部电极及所述第二电容器的顶部电极的共享接触件。所述第一电容器的底部电极及所述第二电容器的底部电极分别与所述第一金属线及所述第二金属线实体接触。

技术特征：

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括被配置为将所述第一顶部电极及所述第二顶部电极耦接到所述第三金属线的共享通孔。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电容器及所述第二电容器为非平面的。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电容器及所述第二电容器为t型的。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电容器及所述第二电容包括高k介电质层。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述高k介电质层包括多个子层的堆叠。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一底部电极及所述第二底部电极分别与所述第一金属线及所述第二金属线直接接触。

8.一种半导体结构，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

10.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，还包括位在所述第一电容器及所述第二电容器之上的钝化层。

技术总结
本技术的实施例提供一种半导体结构包括基底、位在基底上的晶体管结构、耦接到晶体管结构的内连线结构、具有第一顶部电极及第一底部电极的第一电容器以及具有第二顶部电极及第二底部电极的第二电容器，内连线结构包括第一金属线、位在与第一金属线相同的金属化层中的第二金属线、位在于第一金属线及第二金属线上方的金属化层中的第三金属线，第一及第二顶部电极电性耦接到第三金属线且第一及第二底部电极分别电性耦接到第一及第二金属线，此配置方式可促进后段工艺单元的紧凑化。

技术研发人员：林孟贤,林杏芝,刘克群,高敏峰,林冠华
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：20230519
技术公布日：2024/1/15