技术编号:36244317
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。闪存存储器版图、闪存存储器及其制作方法技术领域.本发明属于集成电路制造技术领域,具体涉及一种闪存存储器版图、闪存存储器及其制作方法。背景技术.闪存(flash)由于其具有高密度、低价格、以及电可编程、擦除的优点,已被广泛作为非易失性记忆体应用的最优选择。一般而言,浮栅型闪存都有着类似的原始存储单元它们都有层叠的栅极结构,该栅极结构包括浮栅和至少覆盖浮栅的控制栅。其中,所述控制栅通过耦合以控制浮栅中电子的存储与释放。nord flash(或非闪存)的擦除是发生在浮栅与字线之间的隧穿,通过在字线...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。