技术编号:3631793
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及聚硅氧烷(硅倍半氧烷)和含有所述聚硅氧烷的光致抗蚀剂组合物的新合成方法。本发明的合成方法包括使用具有多个反应性含氮基团的聚合模板试剂,特别是二胺试剂。背景技术 光致抗蚀剂是用于将图像转移到基材的光敏薄膜。在基材上形成光致抗蚀剂的涂层,随后通过遮光膜将光致抗蚀剂涂层曝光在活性辐射源下。遮光膜具有对于活性辐射不透明的区域和对于活性辐射透明的其它区域。曝光于活性辐射导致了光致抗蚀剂涂层的光诱导化学变化,因此将遮光膜的图像传递至光致抗蚀剂涂覆的基材上。在...
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