技术编号：36371603
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型属于坩埚领域，特别是涉及基于端部固定结构以及侧部连接的埚邦结构以及带有该埚邦结构的坩埚。背景技术.在单晶硅的制作中，目前普遍采用的是直拉法又称cz法，是沿着垂直方向从熔体中拉制单晶的方法。在制造设备中，有一个重要的部件就是石墨或碳/碳坩埚，它是用来承载内部的石英坩埚的。在使用的过程中，由于石英坩埚与石墨或碳/碳坩埚的膨胀系数不同，并且硅蒸汽与石墨会产生侵蚀反应的原因，会存在石墨或碳/碳坩埚龟裂、侵蚀失强等问题。并且，随着单晶体生长的晶体直径越来越粗，相应的单晶炉的直径也会越做越大...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。