技术编号：36713030
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于单晶硅片，具体的说是一种解决硅片退火舟印的方法。背景技术、随着半导体产业的发展，大规模集成电路应用的摩尔式快速成长推动了作为外延衬底材料的单晶晶圆的广泛应用。硅片的片加工生产通常需依次经过切割、研磨、化学腐蚀、退火和抛光之后得到成品。、其中硅片退火是硅片加工过程中非常重要的一个工艺，硅片退火的目的在于消除硅片内部氧施主的影响，亦或是消除硅片在单晶生长过程中所形成的硅片表面同心圆的表面缺陷。退火过程中广泛使用石英舟，退火热过程中石英舟卡槽与硅片表面接触，因而会不可避免的形成硅片表面退...
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