技术编号：36811463
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及锂离子电池负极材料的制备方法，尤其涉及利用ald技术在多孔碳中沉积硅层制备硅碳负极的方法。背景技术、随着锂电池在电动汽车、可穿戴设备和储能系统等领域的广泛应用，对于高容量负极材料的需求不断增加。目前更多的研究都在追求高理论容量的电极材料来取代目前已经发展的石墨负极材料。其中，硅基负极材料是最具有吸引力的替代品，因其具有非常高的理论容量mah g-(形成全锂化状态li.si)和低放电电压 (si的平均脱嵌锂电压为.v)。然而，由于其在充放电过程中的大体积变化(高达...
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