技术编号:36818392
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开的示例性实施方式涉及等离子体处理装置。背景技术、作为有效地防止堆积物附着在等离子体处理装置中的腔室内壁或绝缘体等的腔室内部件上的技术,存在专利文献中记载的技术。、现有技术文献、专利文献、专利文献:日本特开-号公报技术实现思路、本公开提供使蚀刻形状提高并且抑制等离子体处理装置中的异常放电的技术。、在本公开的一个示例性实施方式中,提供一种离子体处理装置,具备:等离子体处理腔室;基板支持部,配置于所述等离子体处理腔室内且包含下部电极;上部电极,配置于所述基板支持部...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。