等离子体处理装置的制作方法

本公开的示例性实施方式涉及等离子体处理装置。

背景技术：

1、作为有效地防止堆积物附着在等离子体处理装置中的腔室内壁或绝缘体等的腔室内部件上的技术，存在专利文献1中记载的技术。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2015-5755号公报

技术实现思路

1、本公开提供使蚀刻形状提高并且抑制等离子体处理装置中的异常放电的技术。

2、在本公开的一个示例性实施方式中，提供一种离子体处理装置，具备：等离子体处理腔室；基板支持部，配置于所述等离子体处理腔室内且包含下部电极；上部电极，配置于所述基板支持部的上方；第一射频信号生成器，构成为与所述下部电极耦合且生成第一射频信号，所述第一射频信号在重复期间内的第一状态期间具有第一功率电平，在所述重复期间内的第二状态期间具有比所述第一功率电平小的第二功率电平，在所述重复期间内的第三状态期间具有所述第二功率电平；第二射频信号生成器，构成为与所述下部电极耦合且生成第二射频信号，所述第二射频信号在所述第一状态期间具有第三功率电平，在所述第二状态期间具有比所述第三功率电平大的第四功率电平，在所述第三状态期间具有所述第三功率电平；以及直流信号生成器，构成为与所述上部电极耦合且生成直流信号，所述直流信号在所述第一状态期间具有第一电压电平，在所述第二状态期间具有第二电压电平，所述第一电压电平的绝对值比所述第二电压电平的绝对值大。

3、发明效果

4、根据本公开的一个示例性实施方式，能够提供一种使蚀刻形状提高并且抑制在等离子体处理装置中的异常放电的技术。

技术特征：

1.一种等离子体处理装置，具备：

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中，

4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其中，

5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其中，

6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其中，

7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其中，

8.根据权利要求1～7中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

9.根据权利要求1～7中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

10.根据权利要求1～7中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

11.根据权利要求1～7中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

12.根据权利要求1～7中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

13.一种等离子体处理装置，具备：

14.根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其中，

15.根据权利要求14所述的等离子体处理装置，其中，

16.根据权利要求15所述的等离子体处理装置，其中，

17.根据权利要求16所述的等离子体处理装置，其中，

18.根据权利要求13～17中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

19.根据权利要求18所述的等离子体处理装置，其中，

20.根据权利要求19所述的等离子体处理装置，其中，

技术总结
提供使蚀刻形状提高并且抑制在等离子体处理装置中的异常放电的技术。提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置具备与下部电极耦合的第一射频信号生成器以及第二射频信号生成器和与上部电极耦合的直流信号生成器。第一射频信号在重复期间内的第一状态期间有第一功率电平，在重复期间内的第二状态期间有比第一功率电平小的第二功率电平，在重复期间内的第三状态期间有第二功率电平。第二射频信号在第一状态期间有第三功率电平，在第二状态期间有比第三功率电平大的第四功率电平，在第三状态期间有第三功率电平。直流信号在第一状态期间有第一电压电平，在第二状态期间有第二电压电平，第一电压电平的绝对值比第二电压电平的绝对值大。

技术研发人员：岩佐琥伟,谷川雄洋,户来雅也,大嶋一辉,酒井让
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/25