包括混合接合结构的层叠半导体装置的制作方法

本专利文档所公开的技术和实现总体上涉及包括混合接合结构的层叠半导体装置。

背景技术：

1、可以通过层叠不同的半导体基板或晶片来制造特定类型的高度集成的半导体装置。例如，可以通过将上基板层叠在下基板上并将它们接合在一起来制造这样的半导体装置。

2、通过使用诸如混合接合技术之类的接合技术，将上基板和下基板中的不同电路和元件彼此电连接。

3、高集成度的半导体装置包括形成在芯片上的各种电路，因此也可以使用这种接合技术来实现对这些电路的稳定供电。

技术实现思路

1、所公开技术的各种实施方式涉及半导体装置，该半导体装置可以通过在层叠半导体装置中使用混合接合结构作为布线金属，实现对形成于彼此接合的上基板和下基板中和上基板和下基板上的电路的稳定供电。

2、根据所公开技术的实施方式，一种层叠半导体装置可以包括：包括第一接合表面的第一半导体芯片和包括面对第一接合表面的第二接合表面的第二半导体芯片，第一接合表面和第二接合表面彼此接合。第一半导体芯片可以包括：第一基板；至少一个第一电源互连件，其设置在第一基板和第一半导体芯片的第一接合表面之间，并且被配置为藉以承载供电电压；以及至少一个第一电源混合接合结构，其被设置为与第一电源互连件接触，并且被配置为沿着与第一电源互连件的布线路径相同的路径延伸。第二半导体芯片可以包括：第二基板；至少一个第二电源互连件，其设置于第二接合表面与第二基板之间，并且被配置为藉以承载供电电压；以及至少一个第二电源混合接合结构，其被设置为与第二电源互连件和第一电源混合接合结构接触，并且被配置为沿着与第二电源互连件的布线路径相同的路径延伸。

3、应当理解，所公开的技术的前述概括描述和以下详细描述二者都是示例性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的公开的进一步解释。

技术特征：

1.一种层叠半导体装置，该层叠半导体装置包括：

2.根据权利要求1所述的层叠半导体装置，其中：

3.根据权利要求1所述的层叠半导体装置，其中：

4.根据权利要求1所述的层叠半导体装置，其中：

5.根据权利要求1所述的层叠半导体装置，该层叠半导体装置还包括：

6.根据权利要求1所述的层叠半导体装置，其中，所述第二半导体芯片包括：

7.根据权利要求6所述的层叠半导体装置，其中，所述至少一个第一电源混合接合结构包括：

8.根据权利要求7所述的层叠半导体装置，其中：

9.根据权利要求7所述的层叠半导体装置，其中，所述至少一个第二电源混合接合结构包括：

10.根据权利要求1所述的层叠半导体装置，其中：

11.根据权利要求9所述的层叠半导体装置，其中：

12.根据权利要求6所述的层叠半导体装置，其中：

13.根据权利要求7所述的层叠半导体装置，其中，所述至少一个第二电源混合接合结构包括：

14.根据权利要求13所述的层叠半导体装置，其中：

技术总结
本申请涉及包括混合接合结构的层叠半导体装置。一种层叠半导体装置可以包括第一半导体芯片和第二半导体芯片。第一半导体芯片包括：第一基板；至少一个第一电源互连件，其设置在第一基板和第一半导体芯片的第一接合表面之间并且藉以承载供电电压；以及至少一个第一电源混合接合结构，其被设置为与第一电源互连件接触并且沿着与第一电源互连件的布线路径相同的路径延伸。第二半导体芯片包括：第二基板；至少一个第二电源互连件，其设置于第二接合表面与第二基板之间并且藉以承载供电电压；以及至少一个第二电源混合接合结构，其被设置为与第二电源互连件和第一电源混合接合结构接触，并且沿着与第二电源互连件的布线路径相同的路径延伸。

技术研发人员：郭坪水
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/25