技术编号:3683492
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种保护膜的形成方法、保护膜、硬化性组合物以及积层体。本发明提供一种晶片级封装用保护膜的形成方法,其通过将硬化性组合物涂布于具有半导体元件的晶片上,使所得的涂膜硬化而形成保护膜,所述硬化性组合物含有含烯基的聚硅氧烷(A)、氢化聚硅氧烷(B)以及硅氢化反应用催化剂(C),并且满足特定的条件。依据本发明的钝化膜的形成方法,即便是于晶片级封装技术中遍及宽广面积而形成保护膜的情况,也可以抑制晶片的翘曲以及保护膜的龟裂的产生。专利说明保护膜的形成方法、保护...
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