技术编号:36856755
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种功率半导体器件和一种用于制造功率半导体器件的方法。背景技术、大量的系统和应用受益于具有肖特基接触的现代功率半导体器件(所谓的肖特基功率半导体器件)(例如,金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)器件或绝缘栅双极晶体管(igbt)器件),从而为静态电气参数和动态电气参数两者提供卓越的整体性能。、例如,肖特基mosfet器件不以掺杂的触点区域或井区域(例如,n掺杂触点或p掺杂井)为特征。也就是说,此类肖特基功率半导体器件没有冶金结来保护栅极氧化物。技术实现思路、本发明的目...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。