技术编号:36885837
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明例示的实施方式涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。背景技术、等离子体处理装置在对基片的等离子体处理中使用。在等离子体处理装置中,为了从腔室内生成的等离子体将离子引入基片,使用高频偏置电功率。下述的专利文献公开了对高频偏置电功率的功率水平和频率进行调制的等离子体处理装置。、现有技术文献、专利文献、专利文献:日本特开-号公报技术实现思路、发明要解决的技术问题、本发明提供能够抑制为了生成等离子体而使用的高频电功率的反射的技术。、用于解决技术问题的技术方案...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。