技术编号:36961983
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开实施例涉及半导体领域,特别涉及一种半导体结构及其制备方法。背景技术、动态随机存取存储器(dram)包括阵列排布的存储单元以及用于对存储单元进行读写操作的外围电路。外围电路包括晶体管,晶体管的栅极、源极、漏极可以通过相应的接触插塞与周边结构以及外界的控制端或信号端等电连接。、由于目前的半导体结构的制备工艺繁琐,在制备接触插塞前可能会出现一些问题,导致半导体结构的良率下降。技术实现思路、本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法,至少有利于提高半导体结构的良率。、根据本公开一些实施例,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。