技术编号:36969958
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于功率半导体器件的,具体涉及一种集电结浮空p柱结构的igbt器件。背景技术、近四十年来,随着电子工业对半导体器件的功率性能要求不断提高,半导体中新材料的应用和制造工艺的进步,功率器件领域也得到了迅速的发展,绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,igbt)是当前功率半导体器件主流的发展方向之一,综合了bjt的高导通电流密度和低导通电阻特性,以及功率mosfet电压控制和高输入阻抗的特性,igbt具有驱动功率小、导通电阻低和电流密度大的特点...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。