技术编号：36972747
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及旁路装置、激光装置和电子器件的制造方法。背景技术、近年来，在半导体曝光装置中，随着半导体集成电路的微细化和高集成化，要求分辨率的提高。因此，从曝光用光源发射的光的短波长化得以发展。例如，作为曝光用的气体激光装置，使用输出波长大约为nm的激光的krf准分子激光装置、以及输出波长大约为nm的激光的arf准分子激光装置。、krf准分子激光装置和arf准分子激光装置的自然振荡光的谱线宽度较宽，大约为～pm。因此，在利用使krf和arf激光这种紫外线透过的材料构成投影...
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