技术编号:37015183
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及半导体,具体而言,涉及一种半导体器件及其形成方法。背景技术、动态随机存取存储器(dynamic random access memory,dram)因具有体积小、集成化程度高及传输速度快等优点,被广泛应用于手机、平板电脑等移动设备中。、为了适用设备日益减小的整体尺寸,对存储器的尺寸以及存储单元密度要求越来越高,栅极沟道的尺寸也越来越小,导致栅极感应漏极漏电流(gate-induced drainleakage,gidl)越来越大,对器件的性能影响较大。、需要说明的是,在上述背景技...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。