技术编号:37110518
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及氮化物半导体装置。背景技术、目前,使用了氮化物半导体的高电子迁移率晶体管(hemt:high electronmobility transistor)的产品化不断发展。在将hemt应用于功率器件的情况下,从失效保护(fail-safe)的观点出发,要求在零偏置时阻断源极-漏极间的电流路径(沟道)的常关动作(normally-off)。、在专利文献中,公开了一种增强型的硅mosfet(metal-oxide-semico nductorfield effect transistor...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。