氮化物半导体装置的制作方法

本公开涉及氮化物半导体装置。

背景技术：

1、目前，使用了氮化物半导体的高电子迁移率晶体管(hemt：high electronmobility transistor)的产品化不断发展。在将hemt应用于功率器件的情况下，从失效保护(fail-safe)的观点出发，要求在零偏置时阻断源极-漏极间的电流路径(沟道)的常关动作(normally-off)。

2、在专利文献1中，公开了一种增强型的硅mosfet(metal-oxide-semico nductorfield effect transistor)与耗尽型的氮化镓hemt串联连接而成的共源共栅晶体管(cascode transistor)。在专利文献1的共源共栅晶体管中，为了对耗尽型的氮化镓hemt进行开关，组合了增强型的硅mosfet来实现常关动作。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2015-61265号公报

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、在如专利文献1所记载的增强型的硅mosfet与耗尽型的氮化镓hemt串联连接而成的共源共栅晶体管中，导通电阻的温度依赖性比较大。例如，当动作温度从室温上升到150℃时，共源共栅晶体管的导通电阻可能增加到2倍以上。这样的导通电阻增加使导通损耗增大，可能导致芯片温度的进一步上升，因此，期望降低导通电阻的温度依赖性。

3、用于解决课题的手段

4、本公开的一方式的氮化物半导体装置具有：耗尽型晶体管，其包含第一栅极端子、第一源极端子及第一漏极端子；以及增强型晶体管，其包含第二栅极端子、第二源极端子及第二漏极端子。所述第二漏极端子与所述第一源极端子连接，所述第二源极端子与所述第一栅极端子连接。所述耗尽型晶体管包含：电子传输层，其由在晶体组分中包含铝的氮化物半导体构成；以及电子供给层，其形成在所述电子传输层上，并由包含比所述电子传输层大的铝组分的氮化物半导体构成。

5、发明效果

6、根据本公开的氮化物半导体装置，能够降低导通电阻的温度依赖性。

技术特征：

1.一种氮化物半导体装置，具有：

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体装置，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的氮化物半导体装置，其中，

5.根据权利要求4所述的氮化物半导体装置，其中，

6.根据权利要求4或5所述的氮化物半导体装置，其中，

7.根据权利要求6所述的氮化物半导体装置，其中，

8.根据权利要求4～7中任一项所述的氮化物半导体装置，其中，

9.根据权利要求1～3中任一项所述的氮化物半导体装置，其中，

10.根据权利要求1～9中任一项所述的氮化物半导体装置，其中，

11.根据权利要求1～9中任一项所述的氮化物半导体装置，其中，

12.根据权利要求1～11中任一项所述的氮化物半导体装置，其中，

13.根据权利要求1～12中任一项所述的氮化物半导体装置，其中，

14.根据权利要求1～13中任一项所述的氮化物半导体装置，其中，

15.根据权利要求1～14中任一项所述的氮化物半导体装置，其中，

16.根据权利要求1～15中任一项所述的氮化物半导体装置，其中，

技术总结
氮化物半导体装置(10)具有：耗尽型晶体管(20)，其包含第一栅极端子(22)、第一源极端子(24)及第一漏极端子(26)；增强型晶体管(30)，其包含第二栅极端子(32)、第二源极端子(34)及第二漏极端子(36)。第二漏极端子(36)与第一源极端子(24)连接，第二源极端子(34)与第一栅极端子(22)连接。耗尽型晶体管(20)包含：电子传输层，其由在晶体组分中包含铝的氮化物半导体构成；电子供给层，其形成在电子传输层上，并由包含比电子传输层大的铝组分的氮化物半导体构成。

技术研发人员：大岳浩隆,馆毅
受保护的技术使用者：罗姆股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/21