玻璃衬底嵌入式PIC到PIC以及片外光子通信的制作方法

本公开的实施例涉及电子封装，并且更具体而言涉及具有光子集成电路(pic)到pic光通信链路的电子封装。

背景技术：

1、电子封装的发展趋势是使用分解的管芯架构。亦即，多个管芯被通信地耦接在一起而不需要单个更大的管芯，后者制造起来更难。在现有的分解管芯架构中，通过制作于封装衬底/内插器上的金属导体或通过使用嵌入式桥将管芯通信地耦接在一起。嵌入式桥提供了在管芯间具有高密度布线的能力。

2、然而，随着信号传递频率增大以及管芯之间的距离增大，信号损失在金属导体上显著增大。此外，随着向封装添加更多的管芯/小芯片，用于管芯到管芯通信的导体布线变得越来越复杂。

技术实现思路

技术特征：

1.一种电子封装，包括：

2.根据权利要求1所述的电子封装，其中，所述第一pic和所述第二pic通过光栅耦合器光学耦接到所述波导。

3.根据权利要求1所述的电子封装，其中，所述第一pic和所述第二pic通过渐逝耦合器光学耦接到所述波导。

4.根据权利要求1、2或3所述的电子封装，还包括：

5.根据权利要求4所述的电子封装，还包括：

6.根据权利要求5所述的电子封装，还包括：

7.根据权利要求1、2或3所述的电子封装，其中，所述第一pic和所述第二pic延伸到所述第一层中。

8.根据权利要求1、2或3所述的电子封装，其中，所述波导包括与所述第一层相同的材料，其中，所述波导的微观结构与所述第一层不同。

9.根据权利要求1、2或3所述的电子封装，其中，所述第一pic和所述第二pic与所述第一层的顶表面接触。

10.根据权利要求9所述的电子封装，其中，所述第一pic的有源层和所述第二pic的有源层与所述第一层的所述顶表面接触。

11.根据权利要求10所述的电子封装，还包括：

12.根据权利要求1、2或3所述的电子封装，其中，所述波导在所述第一pic下方和所述第二pic下方延伸。

13.一种电子封装，包括：

14.根据权利要求13所述的电子封装，其中，所述第一pic和所述第二pic在所述第一层中，其中，所述第一pic的有源层在所述第一pic的顶表面处，并且其中，所述第二pic的有源层在所述第二pic的顶表面处。

15.根据权利要求14所述的电子封装，其中，所述波导在所述第一层的顶表面处。

16.根据权利要求13、14或15所述的电子封装，其中，所述第一pic和所述第二pic在所述第一层中，其中，所述第一pic的有源层在所述第一pic的底表面处，并且其中，所述第二pic的有源层在所述第二pic的底表面处。

17.根据权利要求16所述的电子封装，其中，所述波导嵌入所述第一层中。

18.根据权利要求13、14或15所述的电子封装，其中，所述第一pic和所述第二pic在所述第一层和所述第二层中，其中，所述第一pic的有源层在所述第一pic的底表面处，并且其中，所述第二pic的有源层在所述第二pic的底表面处。

19.一种形成电子封装的方法，包括：

20.根据权利要求19所述的方法，其中，形成所述光波导包括将所述第一层暴露于激光。

21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述光波导的形成是利用考虑了所述多个pic的错位的工艺进行图案化。

22.根据权利要求19、20或21所述的方法，其中，所述第二层是模制层。

23.一种电子系统，包括：

24.根据权利要求23所述的电子系统，其中，所述第一pic和所述第二pic延伸到所述第一层中。

25.根据权利要求23或24所述的电子封装，其中，所述波导包括与所述第一层相同的材料，其中，所述波导的微观结构与所述第一层不同。

技术总结
本文公开的实施例包括电子封装和形成这种电子封装的方法。在实施例中，一种电子封装包括第一层，其中，所述第一层包括玻璃。在实施例中，第二层在所述第一层上方，其中，所述第二层包括模制材料。在实施例中，第一光子集成电路(PIC)在所述第二层之内。在实施例中，第二PIC在所述第二层之内，并且波导在所述第一层中。在实施例中，所述波导将所述第一PIC光学耦接到所述第二PIC。

技术研发人员：B·董,K·达尔马韦卡尔塔,S·V·皮耶塔姆巴拉姆,D·杜鲁伊契奇,B·聂,T·A·易卜拉欣,A·阿格拉瓦尔,S·加恩,R·V·马哈詹,A·阿列克索夫
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/21