技术编号：37113211
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电子材料和冶金技术的，具体而言，涉及一种放电等离子烧结制备高阻溅射靶材的方法，以及由该方法得到的高阻溅射靶材。背景技术、精密金属膜电阻器具有精度高、稳定性好、噪声低、电阻温度系数小、频率响应宽等优异性能，为航空、航天、通讯、工业自动化等领域的高端电子设备配套。目前，制备金属膜电阻器常用的溅射靶材为ni-cr(镍-铬)、ni-cr-si(镍-铬-硅)、cr-si(铬-硅)、cr-sio(铬-氧化硅)等合金和化合物。靶材的质量直接制约着金属膜电阻器的电阻温度系数、精度和稳定性。靶材的晶粒...
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