技术编号：37118100
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于背接触电池，具体涉及一种具有特定正面钝化结构的背接触电池及其制备方法和应用。背景技术、目前，背接触电池中的第一半导体层、第二半导体层都分布在电池硅片背面，正面一般设置有场钝化层和减反层，场钝化层常采用本征非晶硅层叠加掺杂（n型）的非晶/微晶硅层叠层作为第三半导体层，本征非晶硅层、掺杂的非晶/微晶硅层以及减反层一般采用板式pecvd的三个或四个腔室（中间两个腔室沉积n层）分别镀膜形成。、然而，板式pecvd设备非常昂贵，且板式pecvd的三个或四个腔室（中间两个腔室沉积n型掺杂层）分...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。