技术编号:37123188
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及氮化硅陶瓷基片成型工艺,具体为一种氮化硅陶瓷基片材料流延成型工艺。背景技术、电子器件高集成化和微小型化的发展趋势,使其功率越来越高,器件工作温度也逐渐上升,一旦超过芯片的安全工作温度,会引起芯片的热失效和应力损坏,从而降低电子器件的使用寿命。为能够及时传输器件工作产生的热量,需要选用散热效果良好的基板材料;氮化硅陶瓷是一种高热且高机械性能的结构陶瓷,其热导率优于氧化铝陶瓷,机械性能比氧化铝陶瓷和氮化铝陶瓷更具有优越性,因此,是一种理想的散热基板材料。、流延法是氮化硅陶瓷基片生产时最...
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