技术编号:37142396
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及集成电路,特别是涉及一种自适应时间步长的晶圆抛光仿真方法、装置及可读介质。背景技术、化学机械平坦化(chemical-mechanical planarization,cmp),又称化学机械抛光,是超大规模集成电路的生产过程中必不可少的一环。晶圆表面的晶体或金属材料在经过刻蚀沉积等工艺后表面变得凹凸不平,波动范围在几埃米到几千埃米不等,不利于生产过程中的良品率的提升,因此通过化学机械抛光解决该问题。计算机辅助设计领域的数值仿真技术可应用于cmp工艺过程的仿真预测,cmp数值仿真的核心...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
请注意,此类技术没有源代码,用于学习研究技术思路。