技术编号:37147060
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。背景技术、半导体器件是利用诸如硅(si)、锗(ge)、砷化镓(gaas)和磷化铟(inp)的半导体材料的电子特性的电子部件。场效应晶体管(fet)是包括三个端子的半导体器件:栅极、源极和漏极。fet使用通过栅极施加的电场控制沟道的电导率,载流子(例如,电子或空穴)通过沟道在源极和漏极之间流动。在载流子是电子的情况下,fet被称为n沟道器件,并且在载流子是空穴的情况下,fet被称为p沟道器件。一些fet具有被称为主体或衬底的第四端子,其可以用于对晶体管偏置。此外,金属氧化物半导体fet(mosf...
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