用于栅极全环绕（GAA）晶体管结构的混合沟道区的制作方法

背景技术：

1、半导体器件是利用诸如硅(si)、锗(ge)、砷化镓(gaas)和磷化铟(inp)的半导体材料的电子特性的电子部件。场效应晶体管(fet)是包括三个端子的半导体器件：栅极、源极和漏极。fet使用通过栅极施加的电场控制沟道的电导率，载流子(例如，电子或空穴)通过沟道在源极和漏极之间流动。在载流子是电子的情况下，fet被称为n沟道器件，并且在载流子是空穴的情况下，fet被称为p沟道器件。一些fet具有被称为主体或衬底的第四端子，其可以用于对晶体管偏置。此外，金属氧化物半导体fet(mosfet)包括栅极和沟道之间的栅极电介质。mosfet还可以被称为金属绝缘体半导体fet(misfet)或绝缘栅fet(igfet)。互补mos(cmos)结构使用p沟道mosfet(pmos)器件和n沟道mosfet(nmos)器件的组合来实施逻辑门和其他数字电路。

2、finfet是围绕薄的半导体材料带(一般被称为鳍状物)构建的mosfet晶体管。finfet器件的导电沟道存在于鳍状物的与栅极电介质相邻的外侧部分上。具体地，电流沿鳍状物的两个侧壁(垂直于衬底表面的侧面)或者在鳍状物的两个侧壁内流动以及沿鳍状物的顶部(平行于衬底表面的侧面)流动。由于这种配置的导电沟道包括鳍状物的三个不同平面区(例如，顶部和两侧)，所以有时将这样的finfet设计称为三栅极晶体管。纳米线或纳米带晶体管(有时称为栅极全环绕(gaa))被配置为与基于鳍状物的晶体管类似，但作为鳍状物形式的沟道区的替代，一条或多条纳米线或纳米带在源极区和漏极区之间延伸。在纳米带晶体管中，栅极材料环绕每条纳米带(因此，栅极全环绕)。

技术实现思路

技术特征：

1.一种集成电路结构，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中：

3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中：

4.根据权利要求3所述的集成电路结构，还包括：

5.根据权利要求3所述的集成电路结构，还包括：

6.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一器件是n沟道金属-氧化物-半导体(nmos)器件，并且所述第二器件是p沟道金属-氧化物-半导体(pmos)器件。

7.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：

8.根据权利要求7所述的集成电路结构，其中：

9.根据权利要求7所述的集成电路结构，还包括：

10.根据权利要求9所述的集成电路结构，其中，所述第一间隔体和所述第二间隔体包括硅和氮。

11.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一器件包括在所述第一源极区和所述第一漏极区之间横向延伸的一个或多个额外主体，所述一个或多个额外主体包括具有通过密勒指数(100)描述的晶体取向的硅。

12.根据权利要求10所述的集成电路，其中，所述第一主体和所述一个或多个额外主体被包括在包括两个或更多个纳米线、纳米带或纳米片的垂直堆叠体中。

13.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第二器件包括在所述第二源极区和所述第二漏极区之间横向延伸的一个或多个额外主体，所述一个或多个额外主体包括具有通过密勒指数(110)描述的晶体取向的硅。

14.根据权利要求13所述的集成电路，其中，所述第二主体和所述一个或多个额外主体被包括在包括两个或更多个纳米线、纳米带或纳米片的垂直堆叠体中。

15.根据权利要求1到14中的任何一项所述的集成电路结构，其中，所述第一主体是纳米带或纳米片。

16.根据权利要求1到14中的任何一项所述的集成电路结构，其中，所述第一器件和所述第二器件中的每者是栅极全环绕晶体管。

17.根据权利要求1到14中的任何一项所述的集成电路结构，其中，所述第一器件和所述第二器件中的每者是叉片式晶体管。

18.一种集成电路结构，包括：

19.根据权利要求18所述的集成电路结构，其中：

20.根据权利要求18或19所述的集成电路结构，还包括：

21.根据权利要求20所述的集成电路结构，其中：

22.根据权利要求21所述的集成电路结构，还包括：

23.一种形成集成电路结构的方法，包括：

24.根据权利要求23所述的方法，其中：

25.根据权利要求23或24所述的方法，还包括形成所述衬底，其中，形成所述衬底包括：

技术总结
一种集成电路结构包括衬底、位于衬底的第一区段上方的第一器件以及位于衬底的第二区段上方的第二器件。第一器件包括第一源极区和第一漏极区以及在第一源极区和第一漏极区之间横向延伸的第一主体。在示例中，第一主体包括具有通过密勒指数(100)描述的晶体取向的硅。第二器件包括第二源极区和第二漏极区，以及在第二源极区和第二漏极区之间横向延伸的第二主体。在示例中，第二主体包括具有通过密勒指数(110)描述的晶体取向的硅。

技术研发人员：A·默西,P·马吉,G·格拉斯
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/25