一种插件型GMOV的制作方法

本技术涉及电阻器，特别是涉及一种插件型gmov。

背景技术：

1、金属氧化物压敏电阻(metal oxide var istors，mov)通常用于过压保护的组件在交流和直流电源线上，气体放电管(gas discharge tube，gdt)是一种密封在陶瓷腔体中的放电间隙，腔体中充有惰性气体以稳定放电管的放电电压，广泛用于各种电源及信号线的第一级雷击浪涌保护。单独使用mov，容易出现产品老化而失效，单独使用gdt，容易出现续流，但是mov与gdt组合使用可以解决问题，因此，目前将mov与gdt组合使用的gmov，作为一种混合型过压保护元件得到广泛应用。但是，现有的gmov通常仅包括两个引脚，而两引脚的gmov在测试电性能参数时，无法对组合件产品的性能参数进行测试，导致无法确定组合件的性能参数是否正常。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是提供一种插件型gmov，以解决现有的gmov，无法对组合件产品的性能参数进行测试的问题。

2、为了实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

3、本实用新型所述插件型gmov，包括：

4、压敏芯片，一端设有第一电极，另一端设有第二电极，所述第一电极连接有第一引脚，所述第二电极连接有第三引脚；

5、气体放电管，与所述压敏芯片串联，所述气体放电管的第一侧电极面贴合在所述第二电极上，所述气体放电管的第二侧电极面连接有第二引脚。

6、优选地，所述气体放电管的中心轴线与所述压敏芯片的中心轴线平行设置。

7、优选地，所述插件型gmov具有第一方向，所述第一引脚伸出所述第一电极的部分与所述第二引脚伸出所述第二侧电极面的部分均沿所述第一方向延伸设置，所述第三引脚伸出所述第二电极的部分沿所述第一方向延伸设置。

8、优选地，所述第三引脚伸出所述第二电极的部分沿所述第一方向的反向延伸设置。

9、优选地，所述第三引脚伸出所述第二电极的部分可拆卸地设有保护套。

10、优选地，所述第一侧电极面上设有锡膏层。

11、优选地，所述第三引脚的一端与所述第二电极的焊点接触。

12、优选地，所述第一引脚与所述第一电极、所述第二引脚与所述第二侧电极面均通过局部热风点焊或激光焊固定。

13、优选地，还包括封装壳，所述封装壳覆盖在所述气体放电管和所述压敏芯片的外部，所述第一引脚、所述第二引脚、所述第三引脚均穿出所述封装壳至所述封装壳的外部。

14、本实用新型实施例一种插件型gmov与现有技术相比，其有益效果在于：

15、本实用新型实施例的插件型gmov，将气体放电管与压敏芯片串联，在压敏芯片的第一电极连接第一引脚，第二电极连接第三引脚，气体放电管的第二侧电极面连接第二引脚，形成三引脚型gmov，通过增加第三引脚的方式，形成单独的回路，可以很好测试出gmov组合件的各项性能参数，方便确定组合件的性能参数是否正常。

技术特征：

1.一种插件型gmov，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的插件型gmov，其特征在于，所述气体放电管的中心轴线与所述压敏芯片的中心轴线平行设置。

3.根据权利要求1所述的插件型gmov，其特征在于，所述插件型gmov具有第一方向，所述第一引脚伸出所述第一电极的部分与所述第二引脚伸出所述第二侧电极面的部分均沿所述第一方向延伸设置，所述第三引脚伸出所述第二电极的部分沿所述第一方向延伸设置。

4.根据权利要求3所述的插件型gmov，其特征在于，所述第三引脚伸出所述第二电极的部分沿所述第一方向的反向延伸设置。

5.根据权利要求4所述的插件型gmov，其特征在于，所述第三引脚伸出所述第二电极的部分可拆卸地设有保护套。

6.根据权利要求1所述的插件型gmov，其特征在于，所述第一侧电极面上设有锡膏层。

7.根据权利要求1所述的插件型gmov，其特征在于，所述第三引脚的一端与所述第二电极的焊点接触。

8.根据权利要求1所述的插件型gmov，其特征在于，所述第一引脚与所述第一电极、所述第二引脚与所述第二侧电极面均通过局部热风点焊或激光焊固定。

9.根据权利要求1所述的插件型gmov，其特征在于，还包括封装壳，所述封装壳覆盖在所述气体放电管和所述压敏芯片的外部，所述第一引脚、所述第二引脚、所述第三引脚均穿出所述封装壳至所述封装壳的外部。

技术总结
本技术涉及电阻器技术领域，公开了一种插件型GMOV，包括：压敏芯片，一端设有第一电极，另一端设有第二电极，所述第一电极连接有第一引脚，所述第二电极连接有第三引脚；气体放电管，与所述压敏芯片串联，所述气体放电管的第一侧电极面贴合在所述第二电极上，所述气体放电管的第二侧电极面连接有第二引脚。本技术的插件型GMOV为三引脚型GMOV，通过增加第三引脚的方式，形成单独的回路，可以很好测试出GMOV组合件的各项性能参数，方便确定组合件的性能参数是否正常。

技术研发人员：李建明,余奇,梁戈仁,黄浩昌
受保护的技术使用者：广东风华高新科技股份有限公司
技术研发日：20230718
技术公布日：2024/2/25