自旋电感器的制作方法

本发明涉及自旋电感器。

背景技术：

1、电感器与电阻或电容器并列为主要的电子部件，被用于各种电子设备。线圈为电感器的一例。线圈的大小和电感的强度处于权衡的关系，难以以小型的线圈实现大的电感。

2、近年来，随着自旋电子学技术的发展，利用自旋的新的电感器备受关注(例如，非专利文献1)。就利用自旋的电感器而言，元件尺寸越小，电感强度越强，能够兼顾小型化和电感强度而备受关注。

3、现有技术文献

4、非专利文献

5、非专利文献1：yuta yamane，shunsuke fukami和junichi ieda，physical reviewletters 128，147201(202)。

技术实现思路

1、发明想要解决的技术问题

2、作为电感器，理想的是仅表现电感的功能，但如内部电阻或电容器那样具有内部电容。用薄膜制作的自旋电感器的电阻高。

3、本发明鉴于上述情况而完成的发明，其目的在于提供低电阻的自旋电感器。

4、用于解决技术问题的手段

5、本发明为了解决上述技术问题，提供以下的手段。

6、(1)第一方式的自旋电感器具备具有第一电感器层、间隔层、以及第二电感器层的层叠体。所述第一电感器层具备第一配线层和与所述第一配线层相接的第一铁磁性层。所述第二电感器层具备第二配线层和与所述第二配线层相接的第二铁磁性层。所述间隔层被所述第一铁磁性层和所述第二配线层夹持。

7、(2)在上述方式的自旋电感器中，也可以是，上述间隔层是绝缘体。

8、(3)在上述方式的自旋电感器中，也可以是，上述间隔层是半导体。

9、(4)在上述方式的自旋电感器中，也可以是，上述间隔层包含选自cu、al、ag中的任意种。

10、(5)在上述方式的自旋电感器中，也可以是，上述间隔层的厚度比上述第一配线层及上述第二配线层的厚度薄。

11、(6)在上述方式的自旋电感器中，也可以是，上述第一铁磁性层的磁化的取向方向与和在上述第一配线层中流动的电流的流动方向以及上述第一配线层的厚度方向正交的方向交叉。

12、(7)在上述方式的自旋电感器中，也可以是，在从厚度方向俯视时，上述层叠体中，第一方向的长度比与上述第一方向正交的第二方向的长度长。

13、(8)在上述方式的自旋电感器中，也可以是，在从厚度方向俯视时，上述层叠体是弯曲图案。

14、(9)在上述方式的自旋电感器中，也可以是，在从厚度方向俯视时，上述层叠体是涡旋图案。

15、(10)在上述方式的自旋电感器中，也可以是，上述层叠体的电流的流动方向的第一端、和与上述第一端相反侧的第二端均位于上述涡旋图案的外侧。

16、(11)在上述方式的自旋电感器中，也可以是，上述层叠体的电流的流动方向的第一端、和与上述第一端相反侧的第二端均处于上述涡旋图案的内侧。

17、(12)在上述方式的自旋电感器中，也可以是，上述第一铁磁性层及上述第二铁磁性层包含选自cr、mn、co、fe、ni中的一种以上。

18、(13)就上述方式的自旋电感器而言，也可以是，从厚度方向俯视时的上述层叠体的最大宽度为0.003mm以下，电感为0.1μh以上10μh以下。

19、(14)在上述方式的自旋电感器中，也可以是，上述第一铁磁性层覆盖上述第一配线层的第一面的整体。

20、(15)在上述方式的自旋电感器中，也可以是，上述第一配线层向上述第一铁磁性层注入自旋，使上述第一铁磁性层的磁化进行进动运动，上述第二配线层向上述第二铁磁性层注入自旋，使上述第二铁磁性层的磁化进行进动运动。

21、(16)在上述方式的自旋电感器中，也可以是，上述第一配线层及上述第二配线层包含具有d电子或f电子的元素。

22、发明效果

23、本发明的自旋电感器的电阻低。

技术特征：

1.一种自旋电感器，其中，

2.根据权利要求1所述的自旋电感器，其中，

3.根据权利要求1所述的自旋电感器，其中，

4.根据权利要求1所述的自旋电感器，其中，

5.根据权利要求4所述的自旋电感器，其中，

6.根据权利要求1所述的自旋电感器，其中，

7.根据权利要求1所述的自旋电感器，其中，

8.根据权利要求1所述的自旋电感器，其中，

9.根据权利要求1所述的自旋电感器，其中，

10.根据权利要求9所述的自旋电感器，其中，

11.根据权利要求9所述的自旋电感器，其中，

12.根据权利要求1所述的自旋电感器，其中，

13.根据权利要求1所述的自旋电感器，其中，

14.根据权利要求1所述的自旋电感器，其中，

15.根据权利要求1所述的自旋电感器，其中，

16.根据权利要求1所述的自旋电感器，其中，

技术总结
该自旋电感器具备具有第一电感器层、间隔层、以及第二电感器层的层叠体。所述第一电感器层具备第一配线层和与所述第一配线层相接的第一铁磁性层。所述第二电感器层具备第二配线层和与所述第二配线层相接的第二铁磁性层。所述间隔层被所述第一铁磁性层和所述第二配线层夹持。

技术研发人员：佐佐木智生,柴田龙雄,中田胜之
受保护的技术使用者：TDK株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/2/25