本公开内容涉及用于分体式(disaggregated)集成电压调节器(vr)的封装架构的技术、方法和装置。
背景技术:
1、当在半导体材料(诸如硅)的晶片上制造时,电子电路通常被称为集成电路(ic)。具有这种ic的晶片通常被切割成许多单独的管芯。管芯可以封装到ic封装中,该ic封装包含一个或多个管芯以及诸如电阻器、电容器和电感器的其他电子部件。ic封装可以集成到电子系统(诸如消费者电子系统)上。这样的ic的部件在特定的额定功率、电压和/或电流下操作。在许多ic中,虽然电流消耗是动态的并且取决于负载,但是电压是固定的并且理想地是恒定的,以使部件正常运行。可以用vr维持固定电压。线性vr是基于晶体管的器件,通常封装为ic或与ic一起封装,所述ic使用差分放大器来相对于参考电压控制输出电压,通常具有与输出电流相当的输入电流。切换vr以高频切换串联器件的开/关,从而改变作为输出传输的电压的占空比。它们的常见拓扑结构是降压(输出电压低于输入电压)、升压(输出电压高于输入电压)和降压-升压。在典型计算机的示例中,vr将来自电源单元的12v或5v或3.3v直流(dc)转换为ic的较低工作电压,诸如0.8v、1v或1.2v。
技术实现思路
1.一种微电子组件,包括:
2.根据权利要求1所述的微电子组件,还包括:
3.根据权利要求2所述的微电子组件,其中:
4.根据权利要求1-3中任一项所述的微电子组件,其中:
5.根据权利要求1所述的微电子组件,还包括在所述模制化合物中的穿电介质过孔(tdv),其中,所述tdv电耦合所述封装衬底和所述第一ic管芯或所述第二ic管芯。
6.根据权利要求1所述的微电子组件,其中,所述第二ic管芯包括穿衬底过孔(tsv),所述穿衬底过孔被配置为将电力从所述封装衬底输送到所述第一ic管芯。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的微电子组件,其中,所述电感器包括以下中的至少一者:
8.根据权利要求1至7中任一项所述的微电子组件,还包括在所述第二ic管芯和所述第一ic管芯之间的再分布层(rdl),所述再分布层被配置为将电流从所述rdl中的一个区域传送到所述rdl中的另一个区域。
9.根据权利要求8所述的微电子组件,其中,所述rdl限于所述第二ic管芯的表面。
10.根据权利要求9所述的微电子组件,其中:
11.根据权利要求9-10中任一项所述的微电子组件,其中:
12.根据权利要求8-11中任一项所述的微电子组件,其中,所述rdl被配置用于以下中的至少一者:
13.根据权利要求1-12中任一项所述的微电子组件,其中:
14.根据权利要求1-13中任一项所述的微电子组件,其中:
15.一种集成电路,包括:
16.根据权利要求15所述的ic,其中:
17.根据权利要求15-16中任一项所述的ic,还包括通过以下中的一者从所述另一ic管芯到所述封装衬底的电连接:所述ic管芯中的穿衬底过孔(tsv),以及所述中介层中的穿电介质过孔(tdv)。
18.根据权利要求15-16中任一项所述的ic,还包括通过在以下中的一者上的再分布层(rdl)的电连接:所述ic管芯的靠近所述另一ic管芯的表面,以及所述中介层的靠近所述另一ic管芯的表面。
19.根据权利要求15-16中任一项所述的ic,还包括在所述ic的输入侧上的去耦电容器,其中,所述去耦电容器在所述封装衬底的与所述ic管芯相反的一侧上。
20.根据权利要求15-19中任一项所述的ic,其中,所述电感器包括所述封装衬底的芯中的同轴磁性电感器层(mil)结构。
21.一种方法,包括:
22.根据权利要求21所述的方法,还包括在所述第一ic管芯中提供所述vr的另一部分,其中:
23.根据权利要求21-22中任一项所述的方法,还包括:
24.根据权利要求21-23中任一项所述的方法,还包括在所述第二ic管芯周围提供模制化合物。
25.根据权利要求24所述的方法,其中: