技术编号：37159284
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及晶圆的缺陷，并且更具体地，涉及根据关于在半导体晶圆的底表面上发生的缺陷的数据来检测半导体晶圆的初始缺陷的方法和系统。背景技术、半导体晶圆的底表面可能由于在各种工艺期间发生的摩擦和振动所引起的颗粒而被污染。例如，由于在光处理期间施加在晶圆和卡盘之间的力和压力，晶圆的一部分的表面可能上升，并且因此可能生成热点。当热点的尺寸超过焦深(dof)的范围时，在光处理中不能适当地形成产品的图案，结果，可能发生散焦问题。散焦问题可能降低半导体产品的生产率和质量，并降低产量。技术实现思路、示例实施例...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。