检测晶圆缺陷的方法和系统与流程

本公开涉及晶圆的缺陷，并且更具体地，涉及根据关于在半导体晶圆的底表面上发生的缺陷的数据来检测半导体晶圆的初始缺陷的方法和系统。

背景技术：

1、半导体晶圆的底表面可能由于在各种工艺期间发生的摩擦和振动所引起的颗粒而被污染。例如，由于在光处理期间施加在晶圆和卡盘之间的力和压力，晶圆的一部分的表面可能上升，并且因此可能生成热点。当热点的尺寸超过焦深(dof)的范围时，在光处理中不能适当地形成产品的图案，结果，可能发生散焦问题。散焦问题可能降低半导体产品的生产率和质量，并降低产量。

技术实现思路

1、示例实施例提供了用于在早期阶段检测晶圆的底表面上的缺陷并用于快速搜索引起缺陷的处理的方法和系统。

2、根据示例实施例的一方面，一种检测晶圆的缺陷的方法包括：

3、通过组合根据各自的处理操作测量晶圆而生成的多个晶圆水平图来生成包括缺陷点的复合晶圆图；基于复合晶圆图中包括的缺陷点的位置，来根据缺陷簇对缺陷点进行分类；以及针对缺陷簇中的每一个基于操作信息来从各自的处理操作中检测其中发生缺陷的初始处理操作。

4、根据示例实施例的一方面，一种用于检测晶圆的缺陷的设备包括：存储器，其存储程序；以及处理器，其被配置为执行存储在存储器中的程序，以：通过组合根据各自的处理操作测量晶圆而生成的多个晶圆水平图来生成包括缺陷点的复合晶圆图；基于复合晶圆图中包括的缺陷点的位置来根据缺陷簇对缺陷点进行分类；以及针对缺陷簇中的每一个基于操作信息来从各自的处理操作中检测其中发生缺陷的初始处理操作。

5、根据示例实施例的一方面，一种非暂时性计算机可读存储介质被配置为存储由处理器执行的指令，该指令使得处理器执行操作，该操作包括：通过组合根据各自的处理操作测量晶圆而生成的多个晶圆水平图来生成包括缺陷点的复合晶圆图；基于复合晶圆图中包括的缺陷点的位置来根据缺陷簇对缺陷点进行分类；以及针对缺陷簇中的每一个基于操作信息来从各自的处理操作中检测其中发生缺陷的初始处理操作。

技术特征：

1.一种检测晶圆的缺陷的方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，根据所述缺陷簇对所述缺陷点进行分类包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其中，搜索与所述参考缺陷点相邻的缺陷点包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其中，使用关于所述参考缺陷点的位置和所述缺陷点的各自的位置的lp范数值来确定所述距离。

5.根据权利要求3所述的方法，还包括：

6.根据权利要求2所述的方法，还包括确定在所述缺陷点中是否存在不属于所述缺陷簇中的任何一个的至少一个未分类缺陷点。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：

8.根据权利要求1所述的方法，还包括针对所述缺陷簇中的每一个基于检测到的初始处理操作来提取所述缺陷点中的具有最大高度的缺陷点。

9.一种用于检测晶圆的缺陷的设备，所述设备包括：

10.根据权利要求9所述的设备，其中，所述处理器还被配置为：

11.根据权利要求10所述的设备，其中，所述处理器还被配置为：

12.根据权利要求11所述的设备，其中，所述处理器还被配置为：

13.根据权利要求10所述的设备，其中，所述处理器还被配置为：

14.根据权利要求9所述的设备，其中，所述处理器还被配置为：针对所述缺陷簇中的每一个基于检测到的初始处理操作来提取所述缺陷点中的具有最大高度的缺陷点。

15.一种非暂时性计算机可读存储介质，其被配置为存储指令，所述指令在由处理器执行时使得所述处理器执行操作，所述操作包括：

16.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读存储介质，其中，根据所述缺陷簇对所述缺陷点进行分类包括：

17.根据权利要求16所述的非暂时性计算机可读存储介质，其中，搜索与所述参考缺陷点相邻的缺陷点包括：

18.根据权利要求17所述的非暂时性计算机可读存储介质，还包括：

19.根据权利要求17所述的非暂时性计算机可读存储介质，还包括：

20.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读存储介质，还包括：根据所述缺陷簇中的每一个使用检测到的初始处理操作来提取所述缺陷点中的具有最大高度的缺陷点。

技术总结
提供了检测晶圆的缺陷的方法、用于检测晶圆的缺陷的设备、以及非暂时性计算机可读存储介质。检测晶圆的缺陷的方法包括：通过组合根据各自的处理操作测量晶圆而生成的多个晶圆水平图来生成包括缺陷点的复合晶圆图；使用复合晶圆图中包括的缺陷点的位置来根据缺陷簇对缺陷点进行分类；以及针对缺陷簇中的每一个使用操作信息来从各自的处理操作中检测其中发生缺陷的初始处理操作。

技术研发人员：李起范,申泰秀,玉雪琪,黄盛昱
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/2/25