技术编号:37179437
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,广泛应用于电机驱动器、开关电源和功率放大器的输出级等领域中,具体涉及一种n层堆叠ldmos器件及其制备方法。背景技术、mosfet功率器件作为半导体器件的核心,相关的专家、学者以及研究者从未中断对其研究,从优化ldmos器件的resurf技术、rebulf技术以及soi结构等,到优化终端结构的扩散保护环技术、场版技术、场限环技术等,都在推动mosfet功率器件的快速发展。虽然这些技术均能够使硅基mosfet功率器件在比导通电阻与击穿电压之间取一个较好的折中值,从而缓解比导...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。