技术编号:37220685
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体,尤其涉及一种沟槽型mosfet及其制造方法。背景技术、随着集成电路的特征尺寸(即最小尺寸)缩小到nm,短沟道效应愈发严重,仅依靠提高沟道的掺杂浓度、降低源漏结深和缩小栅氧层厚度等技术来改善传统平面型晶体管结构的短沟道效应遇到了瓶颈。高掺杂的沟道会导致器件阈值电压的大幅增加、增大库伦散射,使载流子迁徙率下降,最终导致器件的速度进一步降低。缩减栅氧层厚度到一定范围后,它便不再是理想的绝缘体,栅极与衬底之间的电子将出现量子化现象,载流子以波的形式绕过栅氧层的势垒形成量子隧穿效应...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。