技术编号：37227666
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及柔性电子器件的领域，更具体地说，它涉及一种nh-mil-填充介电薄膜的制备方法。背景技术、随着电子、通信和能源领域的不断发展， 其器件不断朝着高性能化、小型化和低延迟化演变， 这对材料的介电性能提出了越来越高的要求。聚合物介电材料有着介电损耗低、击穿强度高、加工性优异和成本低等显著优势， 在储能电容器和g通信等领域有广阔应用前景。目前市场上最常见的聚合物介电薄膜主要是商业化双向拉伸聚丙烯（bopp）薄膜，该薄膜的制备方法为：将高分子聚丙烯的熔体通过狭长机头制成片材或厚膜，然...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。