技术编号:37228378
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体涂胶工艺领域,尤其涉及一种lt与ln来料裸片涂布工艺。背景技术、黄光制程中的涂胶方式大致有旋涂和喷涂两大类,(一般采用的基板为硅基和玻璃),其中旋涂涂胶原理是依靠离心力将胶从中心往外围涂,使整个片都涂满,故圆片可达到整面良好的胶厚均匀性。而在实际产品研发时,客户对最终产品的材质做了要求,如lt&ln(碳酸锂&铌酸锂),通过这种各种测量数据对比,这两种材质的固含量与硅基的不一样,在其表面的光洁度和水滴角、粗糙度差异很大,在涂布过程中会产生边缘地带有涂不满的现象,如...
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