本发明涉及半导体涂胶工艺领域,尤其涉及一种lt与ln来料裸片涂布工艺。
背景技术:
1、黄光制程中的涂胶方式大致有旋涂和喷涂两大类,(一般采用的基板为硅基和玻璃),其中旋涂涂胶原理是依靠离心力将胶从中心往外围涂,使整个片都涂满,故圆片可达到整面良好的胶厚均匀性。而在实际产品研发时,客户对最终产品的材质做了要求,如lt&ln(碳酸锂&铌酸锂),通过这种各种测量数据对比,这两种材质的固含量与硅基的不一样,在其表面的光洁度和水滴角、粗糙度差异很大,在涂布过程中会产生边缘地带有涂不满的现象,如图1所示,其表面局部出现未均匀涂满胶之处,会影响到产品的质量和良率。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题,本发明设计了一种lt与ln来料裸片涂布工艺。在涂胶前增加表面预处理优化涂胶效果解决表面涂布异常问题,改善其表面的性质,提高表面的洁净度,优化改善了lt与ln来料裸片表面涂不满的现象。
2、本发明采用如下技术方案:
3、一种lt与ln来料裸片涂布工艺,其工艺步骤为:
4、s1、将lt与ln来料裸片放入去胶机内浸泡槽卡槽内用nmp(n-甲基吡咯烷酮)进行一段时间的浸泡;
5、s2、浸泡结束后,将lt与ln来料裸片输送至剥离腔,在剥离腔中用nmp对lt与ln来料裸片的表面进行剥离,去除表面残留物;
6、s3、将完成步骤s2的lt与ln来料裸片传送至清洗腔,在清洗腔中用ipa(异丙醇)与n2通过喷嘴进行冲洗和喷吹,冲洗完成后继续使用diw(纯水)通过喷嘴进行冲洗,将表面的nmp残液去除干净;
7、s4、将完成步骤s3的lt与ln来料裸片甩干,并通过旋涂工艺对lt与ln来料裸片进行旋涂,完成整个lt与ln来料裸片涂布工艺。
8、作为优选,步骤s1中,lt与ln来料裸片放入去胶机内用nmp进行浸泡的时间为3min,浸泡的温度为80℃。
9、作为优选,步骤s1中,浸泡同时卡槽在浸泡槽内上下摆动增加基片与液体接触率。
10、作为优选,步骤s2中,剥离腔中剥离过程是通过机械手臂夹持住lt与ln来料裸片并以固定速度旋转,同时高压喷头来回摆动用nmp对其表面进行高压冲洗剥离120s。
11、作为优选,所述高压喷头液体压力控制在0.3-0.4mpa。
12、作为优选,步骤s3中,ipa与n2进行冲洗和喷吹的条件分别为:ipa冲洗压力0.05-0.1mpa,n2喷吹压力0.2-0.3mpa,冲洗时间为90s。
13、作为优选,步骤s3中,diw进行冲洗的冲洗条件为:diw冲洗压力0.3-0.3mpa,冲洗时间为90s。
14、作为优选,步骤s4中,lt与ln来料裸片的甩干过程为通过机械手臂夹持住lt与ln来料裸片以3000转转速甩干90s。
15、本发明的有益效果是:本发明工艺通过nmp浸泡产生化学反应,改变lt&ln表面的性质,提高片子洁净度,减小水滴角,提升旋涂涂胶时对胶的附着力,再通过剥离清洗,使其表面保持干净、干燥,既能解决lt与ln来料裸片旋涂涂胶时涂不满的现象,又能充分提高产品质量和良率。
1.一种lt与ln来料裸片涂布工艺,其特征是,其工艺步骤为:
2.根据权利要求1所述的一种lt与ln来料裸片涂布工艺,其特征是,步骤s1中,lt与ln来料裸片放入去胶机内用nmp进行浸泡的时间为3min,浸泡的温度为80℃。
3.根据权利要求1所述的一种lt与ln来料裸片涂布工艺,其特征是,步骤s1中,浸泡同时卡槽在浸泡槽内上下摆动增加基片与液体接触率。
4.根据权利要求1所述的一种lt与ln来料裸片涂布工艺,其特征是,步骤s2中,剥离腔中剥离过程是通过机械手臂夹持住lt与ln来料裸片并以固定速度旋转,同时高压喷头来回摆动用nmp对其表面进行高压冲洗剥离120s。
5.根据权利要求4所述的一种lt与ln来料裸片涂布工艺,其特征是,所述高压喷头液体压力控制在0.3-0.4mpa。
6.根据权利要求1所述的一种lt与ln来料裸片涂布工艺,其特征是,步骤s3中,ipa与n2进行冲洗和喷吹的条件分别为:ipa冲洗压力0.05-0.1mpa,n2喷吹压力0.2-0.3mpa,冲洗时间为90s。
7.根据权利要求1所述的一种lt与ln来料裸片涂布工艺,其特征是,步骤s3中,diw进行冲洗的冲洗条件为:diw冲洗压力0.3-0.3mpa,冲洗时间为90s。
8.根据权利要求1所述的一种lt与ln来料裸片涂布工艺,其特征是,步骤s4中,lt与ln来料裸片的甩干过程为通过机械手臂夹持住lt与ln来料裸片以3000转转速甩干90s。