技术编号:37234488
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开的实施例涉及一种半导体装置,该半导体装置包括具有氧化区域的间隔件结构。背景技术、随着半导体装置的集成密度已经增加,互连件之间的间隔已经变窄。随着互连件之间的间隔变窄,电信号的传输速度可能由于rc延迟而降低。技术实现思路、示例性实施例提供了一种半导体装置,所述半导体装置包括减小导电图案之间的寄生电容的间隔件结构。、示例性实施例提供了一种制造上述半导体装置的方法。、根据示例性实施例,半导体装置包括导电图案和设置在导电图案的侧表面上的间隔件结构。间隔件结构包括与导电图案的侧表面接触的内部...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。