包括具有氧化区域的间隔件结构的半导体装置的制作方法

本公开的实施例涉及一种半导体装置，该半导体装置包括具有氧化区域的间隔件结构。

背景技术：

1、随着半导体装置的集成密度已经增加，互连件之间的间隔已经变窄。随着互连件之间的间隔变窄，电信号的传输速度可能由于rc延迟而降低。

技术实现思路

1、示例性实施例提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括减小导电图案之间的寄生电容的间隔件结构。

2、示例性实施例提供了一种制造上述半导体装置的方法。

3、根据示例性实施例，半导体装置包括导电图案和设置在导电图案的侧表面上的间隔件结构。间隔件结构包括与导电图案的侧表面接触的内部间隔件、与导电图案的侧表面间隔开的外部间隔件、以及设置在内部间隔件与外部间隔件之间的气隙。内部间隔件包括被气隙暴露的内部氧化区域，并且内部氧化区域中的氧浓度具有氧浓度在远离气隙的方向上降低的梯度。

4、根据示例性实施例，半导体装置包括导电图案和设置在导电图案的侧表面上的间隔件结构。间隔件结构包括与导电图案的侧表面接触的内部间隔件、与导电图案的侧表面间隔开的外部间隔件、以及设置在内部间隔件与外部间隔件之间的气隙。内部间隔件包括被气隙暴露的内部氧化区域，并且外部间隔件包括被气隙暴露的外部氧化区域和与外部氧化区域接触的外部非氧化区域。

5、根据示例性实施例，半导体装置包括：有源区域；隔离区域，设置在有源区域的侧表面上；栅极结构，设置在栅极沟槽中，栅极沟槽与有源区域交叉并延伸到隔离区域中；第一杂质区域和第二杂质区域，与栅极结构相邻地设置在有源区域中并且彼此间隔开；多个结构，在比栅极结构的水平高的水平处与栅极结构交叉；接触插塞，包括设置在所述多个结构之间并电连接到第一杂质区域的部分；以及间隔件结构，设置在所述多个结构的侧表面上。所述多个结构中的每个包括位线和设置在位线上的绝缘覆盖图案。位线包括：第一位线部分，设置在隔离区域上；以及第二位线部分，包括设置在比第一位线部分的下表面的水平低的水平处的下表面，并且与第二杂质区域竖直叠置。间隔件结构中的每个包括：第一间隔件部分，设置在第一位线部分的侧表面上；以及第二间隔件部分，设置在第二位线部分的侧表面上。第一间隔件部分包括：第一内部间隔件，与第一位线部分的侧表面接触；第一外部间隔件；以及第一气隙，设置在第一内部间隔件与第一外部间隔件之间。第二间隔件部分包括：第二内部间隔件，与第二位线部分的侧表面接触；第二外部间隔件；以及第二气隙，设置在第二内部间隔件与第二外部间隔件之间。第一内部间隔件和第二内部间隔件中的每个包括内部氧化区域。第一内部间隔件的内部氧化区域中的氧浓度具有氧浓度在远离第一气隙的方向上降低的梯度。第二内部间隔件的内部氧化区域中的氧浓度具有氧浓度在远离第二气隙的方向上降低的梯度。

技术特征：

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，

10.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，

12.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，

16.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，

17.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，

18.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

19.根据权利要求18所述的半导体装置，其中，

20.根据权利要求18所述的半导体装置，其中，

技术总结
提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括导电图案和设置在导电图案的侧表面上的间隔件结构。间隔件结构包括与导电图案的侧表面接触的内部间隔件、与导电图案的侧表面间隔开的外部间隔件、以及设置在内部间隔件与外部间隔件之间的气隙。内部间隔件包括被气隙暴露的内部氧化区域。内部氧化区域中的氧浓度具有氧浓度在远离气隙的方向上降低的梯度。

技术研发人员：金台原,朴舒禧,卓容奭,姜旻炅,许埈宁
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/3/5