显示面板和用于制造该显示面板的方法与流程

公开涉及一种包括虚设孔的显示面板和制造该显示面板的方法。

背景技术：

1、诸如电视、移动电话、平板计算机、导航装置和游戏机的多媒体显示装置具有用于显示图像的显示面板。显示面板可以包括发光元件和用于驱动发光元件的晶体管。包括在显示面板中的发光元件可以根据从电路施加的电压发射光并产生图像。为了改善显示面板的可靠性，正在进行发光元件和晶体管的研究。

2、将理解的是，该背景技术部分部分地旨在提供用于理解该技术的有用背景。然而，该背景技术部分还可以包括不是相关领域的技术人员在这里公开的主题的对应的有效提交日期之前已知或领会的内容的一部分的想法、构思或认识。

技术实现思路

1、公开提供了一种包括通过其可以容易地排出氢气的虚设孔的显示面板。

2、公开还提供了一种制造显示面板的方法，该方法包括形成通过其可以容易地排出氢气的虚设孔。

3、公开的实施例提供了一种显示面板，该显示面板可以包括：多个绝缘层；发光元件，设置在多个绝缘层上方；第一晶体管，包括氧化物半导体图案和设置在氧化物半导体图案上方的第一栅极；以及第一虚设导电图案，与第一晶体管间隔开。第一虚设孔可以限定为在与厚度方向垂直的方向上与第一晶体管间隔开，并且可以穿透多个绝缘层之中的至少与第一晶体管接触的第一接触绝缘层。第一虚设导电图案可以设置在第一虚设孔中。

4、在实施例中，第一接触绝缘层可以包括设置在氧化物半导体图案与第一栅极之间的第一绝缘层，并且第一虚设孔可以穿透第一绝缘层。

5、在实施例中，在与厚度方向垂直的方向上，第一虚设孔与氧化物半导体图案之间的第一分离距离可以为约10μm或更小。

6、在实施例中，显示面板可以包括显示区域和非显示区域，并且第一虚设孔可以与显示区域叠置。

7、在实施例中，显示面板还可以包括：第二晶体管，设置在与第一晶体管不同的层上方；以及第二虚设导电图案，与第二晶体管间隔开。第二晶体管可以包括硅半导体图案和设置在硅半导体图案上方的第二栅极。穿过多个绝缘层之中的至少与第二晶体管接触的第二接触绝缘层的第二虚设孔可以被限定。第二虚设导电图案可以设置在第二虚设孔中。

8、在实施例中，在与厚度方向垂直的方向上，第二虚设孔与硅半导体图案之间的第二分离距离可以为约10μm或更小。

9、在实施例中，第二接触绝缘层可以包括设置在硅半导体图案与第二栅极之间的第二绝缘层，并且第二虚设孔可以穿透第二绝缘层。

10、在实施例中，第一虚设孔可以穿透第二绝缘层。

11、在实施例中，显示面板还可以包括设置在第二栅极上方的上电极。

12、在实施例中，第一虚设导电图案和第二虚设导电图案可以包括相同的金属材料。

13、在实施例中，显示面板还可以包括设置在多个绝缘层下方的缓冲层，其中，缓冲层的上表面可以通过第一虚设孔暴露。

14、在公开的实施例中，一种制造显示面板的方法可以包括：准备基体层；在基体层上方形成氧化物半导体图案；形成直接设置在氧化物半导体图案上方的第一绝缘层；形成直接设置在第一绝缘层上方的第一栅极；形成与氧化物半导体图案和第一栅极间隔开并且穿过第一绝缘层的第一虚设孔；以及通过向第一虚设孔提供第一金属材料来形成第一虚设导电图案。

15、在实施例中，形成第一虚设孔的步骤可以包括：蚀刻第一绝缘层，产生蚀刻区域；以及向蚀刻区域提供热量。

16、在实施例中，提供热量的步骤可以以约370℃或更高且约390℃或更低的温度执行。

17、在实施例中，该方法还可以包括：在形成氧化物半导体图案的步骤之前，在基体层上方形成缓冲层；在缓冲层上方形成硅半导体图案；形成直接设置在硅半导体图案上方的第二绝缘层；以及形成直接设置在第二绝缘层上方的第二栅极。该方法还可以包括：在形成第一栅极的步骤之后，形成与硅半导体图案和第二栅极间隔开并且穿过第二绝缘层的第二虚设孔；以及通过在第二虚设孔中提供第二金属材料来形成第二虚设导电图案。

18、在实施例中，该方法还可以包括：在形成第一栅极的步骤之后，形成电连接到硅半导体图案的第一接触孔，其中，第一虚设孔和第一接触孔可以在同一操作中形成。

19、在实施例中，第一虚设孔和第二虚设孔可以在同一操作中形成。

20、在实施例中，第一虚设孔可以形成为穿过第二绝缘层。

21、在实施例中，第一金属材料和第二金属材料可以是相同的。

22、在实施例中，该方法还可以包括：在形成第一虚设孔的步骤之后，形成电连接到第二栅极的第二接触孔。

23、在实施例中，形成第二接触孔的步骤可以不包括提供热量。

24、在实施例中，该方法还可以包括：在形成第一虚设孔之后，形成电连接到第一栅极的第三接触孔。

25、在实施例中，形成第三接触孔的步骤可以不包括提供热量。

技术特征：

1.一种显示面板，所述显示面板包括：

2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，

3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，在与所述厚度方向垂直的所述方向上，所述第一虚设孔与所述氧化物半导体图案之间的第一分离距离为10μm或更小。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其中，

5.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括：

6.根据权利要求5所述的显示面板，其中，在与所述厚度方向垂直的所述方向上，所述第二虚设孔与所述硅半导体图案之间的第二分离距离为10μm或更小。

7.根据权利要求5所述的显示面板，其中，

8.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述第一虚设导电图案和所述第二虚设导电图案包括相同的金属材料。

9.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括设置在所述多个绝缘层下方的缓冲层，

10.一种制造显示面板的方法，所述方法包括：

11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述第一虚设孔的步骤包括：

12.根据权利要求10所述的方法，所述方法还包括：

13.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括：

14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一虚设孔形成为穿过所述第二绝缘层。

15.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括：在形成所述第一虚设孔的步骤之后，形成电连接到所述第二栅极的第二接触孔，并且

技术总结
公开了一种显示面板和制造该显示面板的方法。该显示面板包括：多个绝缘层；发光元件，设置在多个绝缘层上方；第一晶体管，包括氧化物半导体图案和设置在氧化物半导体图案上方的第一栅极；以及第一虚设导电图案，与第一晶体管间隔开。第一虚设孔限定为在与厚度方向垂直的方向上与第一晶体管间隔开，并且穿透多个绝缘层之中的至少与第一晶体管接触的第一接触绝缘层。第一虚设导电图案设置在第一虚设孔中。

技术研发人员：金桐煜,崔千基,金铉镐,金亨基,李现范,李薰基
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/5