技术编号:37238276
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及半导体集成电路制造,特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。背景技术、动态随机存储器(dynamic random access memory,简称dram)是一种高速地、随机地写入和读取数据的半导体存储器,被广泛地应用到数据存储设备或装置中。dram由多个重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容结构和晶体管,晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容结构相连。、目前,随着半导体技术的发展,尤其是在半导体工艺进入深亚微米及纳米阶段后,dram中各组成元件的尺寸及相邻元件之...
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